【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备。
技术介绍
1、在摩尔定律不断深化的当下，继续推进晶体管尺寸微缩是当前业界研发的热点问题。堆叠晶体管通过将两层或多层晶体管在垂直空间内集成，实现进一步提升晶体管集成密度，成为延续集成电路尺寸微缩的重要技术之一。
2、目前，在制备相邻晶体管时，必须保持一定的间隔距离，以限制削弱器件性能和影响功耗的电容，减少相邻晶体管间的干扰。这一间隔限制了晶体管间距的缩小和芯片集成密度的提高。
技术实现思路
1、本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，以提高半导体结构的集成密度。
2、第一方面，本申请实施例提供一种半导体结构的制备方法，上述方法包括：在衬底上形成多个有源结构；多个有源结构对称设置在介质墙结构的两侧，介质墙结构为通过沉积介质材料形成在多个有源结构之间的，有源结构包括第一有源结构和第二有源结构，介质墙结构包括第一介质墙结构和第二介质墙结构；基于多个第一有源结构，形成第一正面...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在衬底上形成多个有源结构，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述基于多个第二有源结构，形成第一背面晶体管和第二背面晶体管之前，所述方法还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在衬底上形成多个有源结构，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述基于多个第二有源结构，形成第一背面晶体管和第二背面晶体管之前，所述方法还包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在衬底上形成多个有源结构，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述基于多个第二有源结构，形成第一背面晶体管和第二背面晶体管之前，所述方法还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在衬底上形成多个有源结构，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述基于多个第二有源结构，形成第一背面晶体管和第二背面晶体管之前，所述方法还包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在衬底上形成多个有源结构，包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述基于多个第一有源结构，形成第一正面晶体管和第二正面晶体管之前，所述方法还包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述基于多个第二有源结构，形成第一背面晶体管和第二背面晶体管之前，所述方法还包括：
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在衬底上形成多个有源结构，包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在所述基于多个第一有源结构，形成第一正面晶体管和第二正面晶体管之前，所述方法还包括：
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在所述基于多个第二有源结构，...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴恒，葛延栋，卢浩然，王润声，黎明，黄如，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：
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