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本发明公开一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，以提高三维集成的半导体器件的良率。半导体器件包括半导体基底、底层硅基场效应晶体管、顶层碳纳米管场效应晶体管、中部互联层和顶层互联金属层。中部互联层包括绝缘层、以及设置在绝缘层内的互联...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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