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本技术属于半导体器件技术领域，涉及一种多栅陶瓷SiC旋转二极管，包括：底座、SiC芯片、多栅陶瓷壳、内紫铜线和外紫铜线；所述SiC芯片设置在所述底座上，所述SiC芯片连接所述内紫铜线，所述多栅陶瓷壳为中空圆柱体，所述内紫铜线设置在所述多栅陶...
该专利属于北京新创椿树整流器件有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京新创椿树整流器件有限公司授权不得商用。

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