一种多栅陶瓷SiC旋转二极管制造技术

本技术属于半导体器件技术领域，涉及一种多栅陶瓷SiC旋转二极管，包括：底座、SiC芯片、多栅陶瓷壳、内紫铜线和外紫铜线；所述SiC芯片设置在所述底座上，所述SiC芯片连接所述内紫铜线，所述多栅陶瓷壳为中空圆柱体，所述内紫铜线设置在所述多栅陶瓷壳中，所述多栅陶瓷壳的尾部与所述外紫铜线连接。本实施例解决了现有技术中存在的爬电距离短，长期使用后因油污导致耐压下降，芯片在焊接时造成内部阴极台面有微变形，从而使得器件损坏无法长期稳定运行等问题。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种多栅陶瓷sic旋转二极管，属于半导体器件。

技术介绍

1、旋转二极管非导通检测系统（dnc）是通过在发电机特定位置加装大轴缺口探测线圈和一对电流感应探测线圈，采集时基信号和旋转 二极管工作状态信号，然后对采集信号进行放大、比较，其广泛应用在各种中、小型同步发电机电动机的励磁系统，其主要作用是将交流励磁机电枢输出的三相交流励磁电流转换成直流电流，供给转子绕组作为提供励磁电流的电源。现有的长陶瓷旋转二极管因其没有陶瓷外壳没有多栅结构，爬电距离短，长期使用后因油污导致耐压下降，又因内部焊接没有使用纳米银低温焊接技术，使得芯片在焊接时造成内部阴极台面有微变形，从而使得器件损坏无法长期稳定运行。

技术实现思路

1、针对上述问题，本技术的目的是提供一种多栅陶瓷sic旋转二极管，其解决了现有技术中存在的爬电距离短，长期使用后因油污导致耐压下降，芯片在焊接时造成内部阴极台面有微变形，从而使得器件损坏无法长期稳定运行等问题。

2、为实现上述目的，本技术提出了以下技术方案：一种多栅陶瓷sic旋转二极管，包括：底座、sic芯片、多栅陶瓷壳、内紫铜线和外紫铜线；所述sic芯片设置在所述底座上，所述sic芯片连接所述内紫铜线，所述多栅陶瓷壳为中空圆柱体，所述内紫铜线设置在所述多栅陶瓷壳中，所述多栅陶瓷壳的尾部与所述外紫铜线连接。

3、进一步，所述内紫铜线和外紫铜线均为多股镀锡紫铜线。

4、进一步，所述底座由两个不同直径的圆柱体组成，其中，所述sic芯片设置在所述直径较大的圆柱体端面。

5、进一步，所述直径较小的圆柱体的外圆周上设置螺纹。

6、进一步，所述多栅陶瓷壳由两个不同直径的圆柱体组成，所述直径较小的圆柱体用于连接所述外紫铜线。

7、进一步，所述直径较大的圆柱体的外圆周上设置螺纹。

8、本技术由于采取以上技术方案，其具有以下优点：

9、1、本技术方案解决了现有技术中存在的爬电距离短，长期使用后因油污导致耐压下降，芯片在焊接时造成内部阴极台面有微变形，从而使得器件损坏无法长期稳定运行等问题；

10、2、本技术方案通过喷釉多栅陶瓷壳大大增加爬电距离，避免长期工作后，可以避免油污等对芯片的污染，保证二极管的耐压，从而保证可靠工作，提高了旋转二极管能够的使用寿命。

11、3、本技术方案中纳米银焊接完成后，焊料的再融化温度高达700℃，sic芯片的工作温度可达到250℃，二者的配合使用，巧妙的满足了旋转励磁这种高转速、大离心力的场合。

12、4、本技术方案中多股镀锡外紫铜线，多股镀锡内紫铜线采用多股镀锡紫铜线起到缓冲离心力的作用。

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【技术保护点】

1.一种多栅陶瓷SiC旋转二极管，其特征在于，包括：底座、SiC芯片、多栅陶瓷壳、内紫铜线和外紫铜线；

2.如权利要求1所述的多栅陶瓷SiC旋转二极管，其特征在于，所述内紫铜线和外紫铜线均为多股镀锡紫铜线。

3.如权利要求1所述的多栅陶瓷SiC旋转二极管，其特征在于，所述底座由两个不同直径的圆柱体组成，其中，所述SiC芯片设置在直径较大的圆柱体端面。

4.如权利要求3所述的多栅陶瓷SiC旋转二极管，其特征在于，直径较小的圆柱体的外圆周上设置螺纹。

5.如权利要求1所述的多栅陶瓷SiC旋转二极管，其特征在于，所述多栅陶瓷壳由两个不同直径的圆柱体组成，直径较小的圆柱体用于连接所述外紫铜线。

6.如权利要求3所述的多栅陶瓷SiC旋转二极管，其特征在于，所述直径较大的圆柱体的外圆周上设置螺纹。

【技术特征摘要】

1.一种多栅陶瓷sic旋转二极管，其特征在于，包括：底座、sic芯片、多栅陶瓷壳、内紫铜线和外紫铜线；

2.如权利要求1所述的多栅陶瓷sic旋转二极管，其特征在于，所述内紫铜线和外紫铜线均为多股镀锡紫铜线。

3.如权利要求1所述的多栅陶瓷sic旋转二极管，其特征在于，所述底座由两个不同直径的圆柱体组成，其中，所述sic芯片设置在直径较大的圆柱体端面。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：高嘉鹏，
申请(专利权)人：北京新创椿树整流器件有限公司，
类型：新型
国别省市：