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一种新型多级沟道SiC MOSFET元胞结构与制造方法。涉及功率半导体器件技术领域。包括以下步骤：步骤1，提供N+型SiC衬底，并在N+型SiC衬底上生长N‑型SiC外延层；步骤2，在N‑型SiC外延层上通过主沟槽高浓度P+型离子注入，形成...
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