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本申请涉及一种MPCVD腔合成后表面杂质清理装置，其包括该装置设置于MPCVD设备上，MPCVD设备包括机体，在所述机体上设置有用于反应降温的铜台，在所述机体上设置有用于密封铜台的机盖，所述机盖可扣合在机体上，所述机盖与机体之间形成密闭的反...
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