【技术实现步骤摘要】
本申请涉及mpcvd的，尤其是涉及一种mpcvd腔合成后表面杂质清理装置。
技术介绍
1、mpcvd设备作为优异的金刚石培育设备，其工作原理为通过微波源产生微波，在微波场的作用下，反应气体被激发为等离子体状态，等离子体是部分电子被剥夺后的原子及原子团被电离后产生的正负离子组成的离子化气体状物质，等离子体呈球状形成于金刚石衬底上，利用等离子体的高温让衬底可以加热到一定的温度，传统的金刚石mpcvd在生产制造钻石时，一般是使用天然气和氢气加热后，在压力室里形成一种碳等离子体，该等离子体不断沉积在压力室底部的碳底层上，并逐渐积聚和硬化，形成金刚石薄片。
2、参照图1，为相关技术中的一种mpcvd设备，该设备包括：机体1，在机体1上设置有用于降温的铜台2，在机体1上设置有用于密封铜台2的机盖3，机盖3可扣合在机体1上，机盖3与机体1之间形成密闭的反应腔，铜台2位于反应腔中，在反应腔内进行金刚石的生产。
3、在金刚石生产的过程中，会产生残渣附着在铜台2顶面和机盖3内壁上，需要工作人员手动对残渣进行清理回收，在清理残渣时较为...
【技术保护点】
1.一种MPCVD腔合成后表面杂质清理装置，该装置设置于MPCVD设备上，所述MPCVD设备包括机体(1)，在所述机体(1)上设置有用于反应降温的铜台(2)，在所述机体(1)上设置有用于密封铜台(2)的机盖(3)，所述机盖(3)可扣合在机体(1)上，所述机盖(3)与机体(1)之间形成密闭的反应腔，所述铜台(2)位于反应腔中，在所述铜台(2)上进行金刚石的生产，其特征在于：包括设置在机体(1)上的转台(4)，所述转台(4)上固接有支撑件，所述支撑件上安装有安装座(720)，所述安装座(720)上设置有用于清理铜台(2)的清理组件一(71)，所述安装座(720)上还设置有...
【技术特征摘要】
1.一种mpcvd腔合成后表面杂质清理装置，该装置设置于mpcvd设备上，所述mpcvd设备包括机体(1)，在所述机体(1)上设置有用于反应降温的铜台(2)，在所述机体(1)上设置有用于密封铜台(2)的机盖(3)，所述机盖(3)可扣合在机体(1)上，所述机盖(3)与机体(1)之间形成密闭的反应腔，所述铜台(2)位于反应腔中，在所述铜台(2)上进行金刚石的生产，其特征在于：包括设置在机体(1)上的转台(4)，所述转台(4)上固接有支撑件，所述支撑件上安装有安装座(720)，所述安装座(720)上设置有用于清理铜台(2)的清理组件一(71)，所述安装座(720)上还设置有用于清理机盖(3)的清理组件二(72)。
2.根据权利要求1所述的一种mpcvd腔合成后表面杂质清理装置，其特征在于：所述清理组件一(71)包括用于清理铜台(2)的刮板(712)，多个所述刮板(712)均连接有同一输出轴一(711)，所述输出轴一(711)通过一驱动件一驱动，所述刮板(712)包括竖直部(7120)和弯折部(7121)，所述弯折部(7121)底端抵接铜台(2)顶面，所述弯折部(7121)底端安装有可更换的刮条(7123)。
3.根据权利要求1所述的一种mpcvd腔合成后表面杂质清理装置，其特征在于：所述清理组件二(72)包括用于清理机盖(3)的清理头(723)，所述清理头(723)连接一输出轴二(722)，所述输出轴二(722)通过一驱动件二驱动，所述清理头(723)外周壁与机盖(3)的内周壁形状相匹配，所述清理头(723)上安装有一层清理带(724)，所述清理带(724)上安装有多个清理条(725)。
4.根据权利要求2所述的一种mpcvd腔合成后表面杂质清理装置，其特征在于：所述输出轴一(711)上套设有连接管一(714)，所述输出轴一(711)转动穿设于连接管一(714)内且与连接管一（714）的内壁间隔设置，所述连接管一(714)靠近铜台(2)的一端安装有用于吸取残渣的吸盘一(715)，所述吸盘一(715)上开设有多个吸孔...
【专利技术属性】
技术研发人员：陶健，郝叙帆，孟凡宇，安尉，
申请(专利权)人：承德晶浪材料科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：
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