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本发明涉及一种基于ＳＯＩ基底的反熔丝单元结构及制备工艺，其包括体硅衬底及位于体硅衬底上的二氧化硅埋层；二氧化硅埋层上至少布置一个ＭＯＳＦＥＴ阱区及至少一个反熔丝下极板，ＭＯＳＦＥＴ阱区与反熔丝下极板利用二氧化硅间隔层相间隔；所述ＭＯＳＦＥＴ...
该专利属于无锡中微晶园电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡中微晶园电子有限公司授权不得商用。

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