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本申请实施例提供了一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。该半导体结构至少包括形成于碳化硅基体中基体单元，所述基体单元包括NFET、PFET中的至少一种，所述基体单元至少包括由外而内设置，且依次贴合的三层结构：第一层结构至少包括：互...
该专利属于苏州华太电子技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州华太电子技术股份有限公司授权不得商用。

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