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本技术涉及一种离子束分析装置，属于半导体工艺设备领域，离子束的截面为条形，离子束分析装置包括有壳体，壳体在朝向离子束的一侧面为挡板，在挡板上沿离子束截面的长度方向并排地间隔分布有两个以上的狭缝；在壳体内设置有两个以上的检测器，检测器与狭缝一...
该专利属于天津鑫钰半导体设备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天津鑫钰半导体设备有限公司授权不得商用。

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