温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明的课题是提供用于在半导体装置制造的光刻工艺中使用的具备耐热性的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含具有下述式(I)或式(I’)(在式(I)或式(I’)中，n1、n2和n3为0，并且环A和环B为苯环或萘环，...
该专利属于日产化学株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日产化学株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。