抗蚀剂下层膜形成用组合物制造技术

本发明专利技术的课题是提供用于在半导体装置制造的光刻工艺中使用的具备耐热性的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含具有下述式(I)或式(I’)(在式(I)或式(I’)中，n1、n2和n3为0，并且环A和环B为苯环或萘环，D表示包含下述式(II)和/或式(III)所示的结构的二价有机基)所示的单元结构的聚合物。半导体装置的制造方法，包含：通过上述抗蚀剂下层膜形成用组合物在半导体基板上形成下层膜的工序；在上述下层膜上形成硬掩模的工序；进一步在上述硬掩模上形成抗蚀剂膜的工序；通过光或电子射线的照射与显影而形成抗蚀剂图案的工序；通过抗蚀剂图案对硬掩模进行蚀刻的工序；通过被图案化了的硬掩模对该下层膜进行蚀刻的工序；以及通过被图案化了的下层膜对半导体基板进行加工的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及在半导体基板加工时有效的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物、以及使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案形成法、和半导体装置的制造方法。

技术介绍

1、一直以来在半导体器件的制造中，通过使用了光致抗蚀剂组合物的光刻进行了微细加工。上述微细加工是在硅晶片等被加工基板上形成光致抗蚀剂组合物的薄膜，在其上经由描绘了半导体器件的图案的掩模图案而照射紫外线等活性光线，进行显影，以所得的光致抗蚀剂图案作为保护膜对硅晶片等被加工基板进行蚀刻处理的加工法。然而，近年来，半导体器件的高集成度化进展，所使用的活性光线也具有从krf受激准分子激光(248nm)向arf受激准分子激光(193nm)被短波长化的倾向。与此相伴，已知活性光线从基板的漫反射、驻波的影响成为大问题，不能形成具有所希望的形状的抗蚀剂图案。因此广泛研究了通过在光致抗蚀剂与被加工基板之间设置防反射膜(bottomanti-reflectivecoating，barc)来控制光学常数，从而抑制驻波的影响的方法。

2、如果抗蚀剂图案的微细化进行，则产生分辨率的问题、抗蚀剂图案在显影后倒塌这样本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含具有下述式(I)或式(I’)所示的单元结构的聚合物，

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，环A和环B为苯环或萘环，n1+n2+n3为0～2，R4为炔丙基。

3.根据权利要求2所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，D为包含芴或芴衍生物结构、和/或可以具有取代基的碳原子数6～30的芳香族烃基的二价有机基。

4.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，进一步包含表面活性剂。

5.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，进一步包含交联剂。

6.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含具有下述式(i)或式(i’)所示的单元结构的聚合物，

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，环a和环b为苯环或萘环，n1+n2+n3为0～2，r4为炔丙基。

3.根据权利要求2所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，d为包含芴或芴衍生物结构、和/或可以具有取代基的碳原子数6～30的芳香族烃基的二价有机基。

4.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，进一步包含表面活性剂。

5.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，进一步包含交联剂。

6.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，进一步包含表面活性剂和交联剂。

7.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，进一步包含酸和/或其盐和/或产酸剂。

8.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，进一步包含表面活性剂、以及酸和/或其盐和/或产酸剂。

9.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，进一步包含交联剂、以及酸和/或其盐和/或产酸剂。

10.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，进一步包含表面活性剂和交联剂、以及酸和/或其盐和/或产酸剂。

11.一种抗蚀剂下层膜，通过将权利要求1～10中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布在半导体基板上进行烧成而获得。

12.一种半导体装置的制造方法，包含：通过权...

【专利技术属性】
技术研发人员：光武祐希，德永光，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：