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半导体装置具备：场绝缘膜（10），与形成于终端沟槽（7）的第1栅极电极（9）相接，覆盖在栅极沟槽（6）的延伸方向上离栅极沟槽（6）远的一方的终端沟槽上端角部（7a）的上方地从终端沟槽（7）的内侧到外侧而形成，厚度比栅极绝缘膜（8）的厚度厚；...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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