半导体装置以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

半导体装置具备：场绝缘膜（10），与形成于终端沟槽（7）的第1栅极电极（9）相接，覆盖在栅极沟槽（6）的延伸方向上离栅极沟槽（6）远的一方的终端沟槽上端角部（7a）的上方地从终端沟槽（7）的内侧到外侧而形成，厚度比栅极绝缘膜（8）的厚度厚；以及第2栅极电极（13），与场绝缘膜（10）之上和形成于终端沟槽（7）的第1栅极电极（9）之上相接，在栅极沟槽（6）的延伸方向上从终端沟槽（7）的内侧到外侧而承载到场绝缘膜（10），通过该结构，能够防止在栅极引出部（70）形成于离活性区域（40）远的一方的终端沟槽上端角部（7a）的栅极绝缘膜（8）破坏。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及沟槽栅极型的半导体装置及其制造方法，特别涉及半导体装置的外周侧的栅极电极的构造。

技术介绍

1、在车载设备、工业设备等的电力控制用途中，使用具有沟槽栅极构造的、绝缘栅极型双极性晶体管（igbt：insulated gate bipolar transistor）、绝缘栅极型场效应晶体管（mosfet：metal oxide semiconductor field effect transistor）等半导体装置。

2、在具有沟槽栅极构造的半导体装置中，在向活性区域的外侧的终端区域延伸地形成有主电流流过的活性区域的栅极沟槽的沟槽设置栅极电极引出部。在专利文献1中，公开了在栅极电极引出部形成绝缘膜，使沟槽上的绝缘膜高精度地开口而将栅极电极连接到栅极焊盘，使离活性区域远的一方的沟槽上端角部的绝缘膜的电场集中缓和。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特表2006-520091号公报（图7c参照）

技术实现思路

1、然而，在使专利文献1所示的栅本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于，还具备：

4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求1至7中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求1至8中的...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于，还具备：

4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求1至7中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

【专利技术属性】
技术研发人员：小山皓洋，岩松俊明，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：