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本发明提供一种line光刻方法。提供一掩模版、提供一晶圆基底，在晶圆基底上沉积硬质掩膜层，并在硬质掩膜层表面形成光刻胶层；进行曝光显影，形成光刻图形：其中，在曝光显影过程中，采用365纳米波长的紫外光照射光刻胶层，对掩模版图形进行曝光显影，...
该专利属于物元半导体技术（青岛）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过物元半导体技术（青岛）有限公司授权不得商用。

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