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本发明提供了一种低导通电阻平面栅碳化硅VDMOS的制备方法，在碳化硅衬底的下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底外延生长，形成漂移层；形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成均流区、P型阱区、P型源区、N型源区及低阻通道区；去除原阻挡层，重新...
该专利属于泰科天润半导体科技（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过泰科天润半导体科技（北京）有限公司授权不得商用。

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