一种低导通电阻平面栅碳化硅VDMOS的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种低导通电阻平面栅碳化硅VDMOS的制备方法，在碳化硅衬底的下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底外延生长，形成漂移层；形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成均流区、P型阱区、P型源区、N型源区及低阻通道区；去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积形成绝缘介质层；去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成栅极金属层；去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成源极金属层，去除阻挡层，完成制备；有效降低了器件的导通电阻，特殊的P型源区还提高了器件的体二极管续流能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种低导通电阻平面栅碳化硅vdmos的制备方法。

技术介绍

1、碳化硅功率器件在电动汽车、航空航天、电力转换等领域有广泛的应用。现有的碳化硅vdmos在实现了低导通电阻而无法实现高可靠性，而若是提高了可靠性，那么导通电阻也会跟着提高，而在电力电子应用中，低导通电阻和高可靠性是器件永远的追求；因此，亟需提供一种低导通电阻，高可靠的碳化硅vdmos。

技术实现思路

1、本专利技术要解决的技术问题，在于提供一种低导通电阻平面栅碳化硅vdmos的制备方法，采用平面栅结构保证了高栅极可靠性，设计的低阻结构有效降低了器件的导通电阻，特殊的p型源区还提高了器件的体二极管续流能力。

2、本专利技术是这样实现的：一种低导通电阻平面栅碳化硅vdmos的制备方法，包括如下步骤：

3、步骤1、在碳化硅衬底的下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底外延生长，形成漂移层；

4、步骤2、在漂移层上部形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，采用离子注入在漂移层内形成均流区；</p>

5、步骤本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低导通电阻平面栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的一种低导通电阻平面栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于，所述碳化硅衬底的掺杂浓度为2e18cm-3，所述漂移层的掺杂浓度为2e17cm-3，所述均流区的掺杂浓度为1e18cm-3，所述低阻通道区的掺杂浓度为6e17cm-3，所述P型源区的掺杂浓度为2e18cm-3，所述P型阱区的掺杂浓度为1e17 cm-3，所述N型源区的掺杂浓度为2e18cm-3。

3.如权利要求1所述的一种低导通电阻平面栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于，所述均流区的厚度为300nm...

【技术特征摘要】

1.一种低导通电阻平面栅碳化硅vdmos的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的一种低导通电阻平面栅碳化硅vdmos的制备方法，其特征在于，所述碳化硅衬底的掺杂浓度为2e18cm-3，所述漂移层的掺杂浓度为2e17cm-3，所述均流区的掺杂浓度为1e18cm-3，所述低阻通道区的掺杂浓度为6e17cm-3，所述p型源区的掺杂浓度为2e18cm-3，所述p型阱区的掺杂浓度为1e17 cm-3，...

【专利技术属性】
技术研发人员：施广彦，张长沙，张瑜洁，李昀佶，
申请(专利权)人：泰科天润半导体科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：