温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请提供一种半导体器件。所述半导体器件包括：主半导体裸片，所述主半导体裸片具有顶面，其中所述顶面包括第一区域和在所述第一区域旁的第二区域；从属半导体裸片，所述从属半导体裸片附接到所述主半导体裸片的顶面的第一区域上；导热层压结构，所述导热层...
该专利属于JCET星科金朋韩国有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过JCET星科金朋韩国有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。