【技术实现步骤摘要】
本申请大体上涉及半导体技术,且更具体地说,涉及具有改进的散热的半导体器件和用于制造半导体器件的方法。
技术介绍
1、半导体行业一直面临复杂的集成挑战,因为消费者希望他们的电子设备体积更小、速度更快且性能更高,并将越来越多的功能封装到单个装置中。为了满足消费者的需求,越来越多的电子元件被紧密地集成。然而,由于紧密的集成,电子元件产生的热量可能会被其它电子元件阻挡,因此散热可能并不理想,且可能损害半导体器件的性能。
2、因此,需要具有改进的散热的半导体器件。
技术实现思路
1、本申请的目标为提供具有改进的散热的半导体器件。
2、根据本申请的实施例的一方面,提供一种半导体器件。所述半导体器件包括:主半导体裸片,所述主半导体裸片具有顶面,其中所述顶面包括第一区域和在所述第一区域旁的第二区域;从属半导体裸片,所述从属半导体裸片附接到所述主半导体裸片的顶面的第一区域上;导热层压结构,所述导热层压结构形成于所述主半导体裸片和所述从属半导体裸片上,其中所述导热层压结构至少部分地覆盖
...【技术保护点】
1.一种半导体器件,其特征在于,所述半导体器件包括:
2.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述导热层压结构包括焊接型热界面层和粘合层。
3.根据权利要求2所述的半导体器件,其特征在于,所述导热层压结构进一步包括润湿层。
4.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述主半导体裸片和所述从属半导体裸片通过混合键合而键合在一起。
5.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述散热器包括:
6.根据权利要求5所述的半导体器件,其特征在于,所述半导体器件进一步包括:
7.根据权利要求
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件,其特征在于,所述半导体器件包括:
2.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述导热层压结构包括焊接型热界面层和粘合层。
3.根据权利要求2所述的半导体器件,其特征在于,所述导热层压结构进一步包括润湿层。
4.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述主半导体裸片和所述从属半导体裸片通过混合键合而键合在一起。
5.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述散热器包括:
6.根据权利要求5所述的半导体器件,其特征在于,所述半导体器件进一步包括:
7.根据权利要求6所述的半导体器件,其特征在于,所述第二多个侧部与所述第一多个侧部间隔开以在其间形成空腔,所述半导体器件进一步包括至少一个电子元件,所述至少一个电子元件收纳于所述空腔内且附接在所述基底上,其中所述至少一个电子元件热耦合到所述散热器的盖体。
8.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述散热器包括:
9.根据权利要求8所述的半导体器件,其特征在于,所述半导体器件进一步包括:
10.根据权利要求9所述的半导体器件,其特征在于,所述第二多个侧部与所述第一多个侧部间隔开以在其间形成空腔,所述半导体器件进一步包括至少一个电子元件,所述至少一个电子元件收纳于所述空腔内且附接在所...
【专利技术属性】
技术研发人员:李承炫,李喜秀,申容武,
申请(专利权)人:JCET星科金朋韩国有限公司,
类型:发明
国别省市:
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