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一种浅沟槽结构制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成浅沟槽；在所述浅沟槽内形成氧化物牺牲层；去除所述氧化物牺牲层；在所述浅沟槽内形成衬底氧化层；在所述衬底氧化层上形成用于填充浅沟槽的填充氧化层。通过本技术方案，可使得浅沟槽在...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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