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本发明提供了一种低阻抗的模拟开关电路，包括两个增强型ＭＯＳ开关管（Ｐ３）和（Ｎ１），并联设置，两者源极共同作为输入端，漏极共同作为输出端；开关管（Ｐ３）的衬底并联两个传输管，通过传输管（Ｐ１）连接电源电平（ＶＤＤ），通过传输管（Ｐ２）连接开...
该专利属于无锡华润矽科微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润矽科微电子有限公司授权不得商用。

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