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本申请提供一种肖特基势垒氧化物薄膜晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域。本申请在基底上依次制备图形化栅极层、栅介质层、图形化半导体层、图形化扩散阻挡层、图形化功函调控层和图形化源极层，其中扩散阻挡层在基底上的投影区域处于半导体层在基底上的...
该专利属于广东省科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过广东省科学院半导体研究所授权不得商用。

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