一种肖特基势垒氧化物薄膜晶体管及其制备方法技术

本申请提供一种肖特基势垒氧化物薄膜晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域。本申请在基底上依次制备图形化栅极层、栅介质层、图形化半导体层、图形化扩散阻挡层、图形化功函调控层和图形化源极层，其中扩散阻挡层在基底上的投影区域处于半导体层在基底上的投影区域内，源极层覆盖半导体层的未被扩散阻挡层覆盖的部分外侧表面，此时源极层的部分区域与半导体层直接接触形成欧姆接触或准欧姆接触，源极层的部分区域间隔对应功函调控部位和扩散阻挡层与半导体层形成肖特基势垒，从而确保高饱和输出电流的器件电学特性，并有效减少界面缺陷对载流子的俘获以及避免产生载流子陷阱，以此提升器件的稳定性和可靠性，同时有效降低器件制备成本。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，具体而言，涉及一种肖特基势垒氧化物薄膜晶体管及其制备方法。

技术介绍

1、随着技术的不断发展，肖特基势垒金属氧化物薄膜晶体管(schottky barriermetal oxide thin film transistor，sbmo-tft)因其优异的本征电性能逐步受到更多的关注。与普通的金属氧化物薄膜晶体管相比，sbmo-tft通常具备高本征增益、低功耗、显著减弱的短沟道效应、更佳的器件稳定性以及饱和后的电流稳定输出特性等优点。因此，sbmo-tft适合应用到高像素密度的amlcd(主动矩阵液晶显示器)、amoled(主动矩阵有机发光二极管显示器)、mini-led(迷你发光二极管)显示器件、micro-led(微发光二极管)显示器件等电流驱动型显示器件或低功耗集成电路中，同时也适合应用于构建动态随机存储器(dram)。

2、对sbmo-tft来说，其制作关键是在源电极和半导体层形成良好的肖特基接触，以在源电极和半导体层之间形成肖特基势垒，而目前业界主要通过严格控制源电极和半导体层的接触界面处的氧等离子处理强度或插层厚度，来本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种肖特基势垒氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述基底的一侧依次层叠制备栅极层、栅介质层和半导体层，得到第一半导体器件的步骤，包括：

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第一半导体器件的远离所述基底的一侧制备扩散阻挡层、功函调控层和电极膜层，得到第二半导体器件的步骤，包括：

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第一半导体器件的远离所述基底的一侧制备扩散阻挡层、功函调控层和电极膜层，得到第二半导体器件的步骤，包括：

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【技术特征摘要】

1.一种肖特基势垒氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述基底的一侧依次层叠制备栅极层、栅介质层和半导体层，得到第一半导体器件的步骤，包括：

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第一半导体器件的远离所述基底的一侧制备扩散阻挡层、功函调控层和电极膜层，得到第二半导体器件的步骤，包括：

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第一半导体器件的远离所述基底的一侧制备扩散阻挡层、功函调控层和电极膜层，得到第二半导体器件的步骤，包括：

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对所述半导体层的未被所述源极层和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李育智，龚政，邹胜晗，陈志涛，赵维，
申请(专利权)人：广东省科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：