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本发明涉及一种新型Ge上PtSe<subgt;2</subgt;薄膜的制备方法，属于化学气相沉积法制备新型二维纳米材料领域。该方法包括：（a）将Ge衬底依次在丙酮、无水乙醇、去离子水中超声清洗，清洗完成后浸泡在稀释的HF中，取出...
该专利属于闽南师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过闽南师范大学授权不得商用。

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