一种新型Ge上PtSe2薄膜的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种新型Ge上PtSe<subgt;2</subgt;薄膜的制备方法，属于化学气相沉积法制备新型二维纳米材料领域。该方法包括：（a）将Ge衬底依次在丙酮、无水乙醇、去离子水中超声清洗，清洗完成后浸泡在稀释的HF中，取出后去离子水清洗，用匀胶机甩干备用；（b）将Ge衬底与Se粉放入管式炉中进行反应；（c）采用高真空磁控溅射薄膜沉积系统在硒化后的Ge衬底上溅射一层Pt薄膜；（d）再将溅射Pt后的Ge衬底与Se粉一同放入管式炉中进行反应制备Ge上PtSe<subgt;2</subgt;薄膜。本发明专利技术首次提出先将Ge衬底与Se粉反应生成一层阻挡层，再溅射Pt硒化，成功在Ge衬底上原位制备出PtSe<subgt;2</subgt;薄膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于化学气相沉积法制备新型二维纳米材料领域，尤其涉及一种新型ge上ptse2薄膜的制备方法。

技术介绍

1、2004年，英国曼彻斯特大学的两位科学成功从高定向热解石墨中剥离出石墨烯薄片，超薄二维纳米材料引起了越来越多人的密切关注，特别是有单层或多层结构的二维过渡金属硫属化合物(tmds)，几乎与石墨烯一样薄，透明且具有柔韧性。与石墨烯不同的是，许多2d tmds本质上是半导体，具有层数依赖的带隙特点，具有制备低功耗光电子器件的巨大潜力，其带隙多对应于可见-近红外范围，具有高载流子迁移率以及高的化学稳定性。

2、二硒化铂(ptse2)的发现扩展了半导体tmds家族，在探索2d tmds在光电子和能量收集器件中的应用具有重要的意义。ptse2为三角晶系的1t相结构，每个单层都以pt原子为中心，se原子在pt的上方和下方，每个pt原子与六个se原子以共价键的形式相连接，构成类似于“se-pt-se”的三明治结构。目前常用的制备ptse2材料的方法有主要有机械剥离法(me)、化学气相传输法(cvt)、化学气相沉积法(cvd)，应用涵盖光电、电本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种新型Ge上PtSe2薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种新型Ge上PtSe2薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(a)中，所述Ge衬底为N型，厚度为100-400μm，电阻率0.01-10ohm.cm。

3.根据权利要求1所述的一种新型Ge上PtSe2薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(b)中，管式炉反应条件为：Se粉区300-500℃，Ge衬底区300-500℃，氩气流量50-150sccm，保温1-3h，使其充分反应。

4.根据权利要求1所述的一种新型Ge上PtSe2薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(c)中，磁...

【技术特征摘要】

1.一种新型ge上ptse2薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种新型ge上ptse2薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(a)中，所述ge衬底为n型，厚度为100-400μm，电阻率0.01-10ohm.cm。

3.根据权利要求1所述的一种新型ge上ptse2薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(b)中，管式炉反应条件为：se粉区300-500℃，ge衬底区300-500℃，氩气流量50-150sccm，保温1-3h，使其充分反应。

4.根据权利要求1所述的一种新型ge上ptse...

【专利技术属性】
技术研发人员：柯少颖，徐晓佳，李志明，陈奕良，刘滨，黎志文，
申请(专利权)人：闽南师范大学，
类型：发明
国别省市：