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本发明涉及一种相变存储器存储单元底电极结构的改进以及制作实施方法，所述的相变存储器存储单元包括顶电极１、顶电极的过渡层２，以及与顶电极的过渡层２和底电极６接触的相变材料层，其特征在于底电极上端呈探针式电极结构，探针式电极的针尖７深入相变材料...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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