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在至少一个实施方式中，所述方法用于制造半导体器件(1)并且包括以下步骤：A)提供电路板(2)，所述电路板具有第一主侧(21)和第二主侧(22)以及在第一主侧(21)处的金属的电的接触结构(26)；B)将电的补偿结构(3)在第一主侧(21)处...该专利属于艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司授权不得商用。
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