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本发明公开了一种半导体结构及半导体器件的制备方法，属于半导体技术领域。所述半导体结构的制备方法至少包括：提供一衬底；在所述衬底上形成第一缓冲层；在所述第一缓冲层上形成第二缓冲层；在所述第二缓冲层上形成多孔应力释放层；在所述多孔应力释放层上形...
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