【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，特别是涉及一种半导体结构及半导体器件的制备方法。
技术介绍
1、第三代半导体材料因具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高和抗辐射能力强等优越性能，在固态光源和电力电子、微波射频器件等领域，具有非常好的应用前景和市场潜在价值。然而，目前也存在反向击穿电压较低及反向漏电流偏大的缺点，且成本高、工艺复杂和周期长。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体结构及半导体器件的制备方法，可以有效缓解半导体结构层间结构内的热应力，提高应用半导体器件的性能。
2、为解决上述技术问题，本专利技术是通过以下技术方案实现的：
3、本专利技术提供一种半导体结构的制备方法，至少包括：
4、提供一衬底；
5、在所述衬底上形成第一缓冲层；
6、在所述第一缓冲层上形成第二缓冲层；
7、在所述第二缓冲层上形成多孔应力释放层；
8、在所述多孔应力释放层上形成第一半导体层，且所述第一半导体
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述多孔应力释放层的孔径为20nm-100nm，所述多孔应力释放层的厚度为200nm-500nm。
3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一半导体层至少包含掺杂氮化镓层。
4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第二半导体层至少包含掺杂氮化镓层，且第二半导体的掺杂浓度小于所述第一半导体层的掺杂浓度。
5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述多孔应力释放层的孔径为20nm-100nm，所述多孔应力释放层的厚度为200nm-500nm。
3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一半导体层至少包含掺杂氮化镓层。
4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第二半导体层至少包含掺杂氮化镓层，且第二半导体的掺杂浓度小于所述第一半导体层的掺杂浓度。
5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈卫军，郭炳磊，欧阳增图，
申请(专利权)人：深圳市辰中科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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