温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种耗尽型GaN的开关电源结构，涉及集成电路技术领域，解决了现有技术中不能很好控制耗尽型GaN开关速度和需要串接NMOS管耐压过高的问题。本发明提出一种通过调节NMOS管驱动电流的方式来驱动耗尽型GaN源极电压，从而实现功率管的...
该专利属于中科（深圳）无线半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中科（深圳）无线半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。