【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路，特别涉及一种耗尽型gan的开关电源结构。
技术介绍
1、gan功率管在开关电源中应用可以明显缩小电源体积、提高功率密度和提高效率。被广泛应用于各中开关电源中，特别是应用在手机快充电源上，更小的体积，更大的充电功率受到广大消费者的热爱。现有技术中大多是采用常态为关闭状态的增强型gan以兼容现有的增强型nmos管（n型金属氧化物晶体管）系统方案。如图1所示为现有技术集成高压启动的开关电源系统电路图，其中u1为副边反馈反激式开关电源的主控制芯片，二极管d5、d6和电阻r1负责在系统上电时给主控制芯片的hv引脚供电，主控制芯片u1的hv引脚具有一耗尽型晶体管nd1，在芯片上电时nd1常开，通过hv引脚取电给vcc引脚的外部储能电容c0充电，充电完成后主控制芯片u1正常工作，关闭nd1。该耗尽型晶体管nd1需要耐高压，成本较高。变压器t1的辅助绕组laux和二极管d8构成主控制芯片vcc电源的主要供电电路。功率管n1关闭时，原边绕组lp停止蓄能，辅助绕组laux和副边输出绕组ls输出上高下低的电压，将变压器的励磁能量输出。...
【技术保护点】
1.一种耗尽型GaN的开关电源结构，包括整流桥、吸收电路、变压器T1、以及同步整流芯片及其外围电路，其中，整流桥与吸收电路及变压器T1连接，变压器T1还与同步整流芯片及其外围电路连接，其特征在于，还包括主控制芯片，所述主控制芯片包括取电检测稳压模块、控制模块和NMOS开关管N3，其中，所述取电检测稳压模块和控制模块均与NMOS开关管N3且控制模块内设有NMOS开关管N3的驱动电路，所述NMOS开关管N3通过耗尽型GaN开关管ND2与变压器T1和吸收电路连接，所述主控制芯片的引脚FB通过环路补偿电容C2接地，且所述主控制芯片的引脚FB还与同步整流芯片的外围电路连接。p>
2.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种耗尽型gan的开关电源结构，包括整流桥、吸收电路、变压器t1、以及同步整流芯片及其外围电路，其中，整流桥与吸收电路及变压器t1连接，变压器t1还与同步整流芯片及其外围电路连接，其特征在于，还包括主控制芯片，所述主控制芯片包括取电检测稳压模块、控制模块和nmos开关管n3，其中，所述取电检测稳压模块和控制模块均与nmos开关管n3且控制模块内设有nmos开关管n3的驱动电路，所述nmos开关管n3通过耗尽型gan开关管nd2与变压器t1和吸收电路连接，所述主控制芯片的引脚fb通过环路补偿电容c2接地，且所述主控制芯片的引脚fb还与同步整流芯片的外围电路连接。
2.根据权利要求1所述的一种耗尽型gan的开关电源结构，其特征在于，所述主控制芯片的引脚vcc与取电检测稳压模块和储能电容c0连接，储能电容c0另一端接地，还包括辅助绕组laux，所述辅助绕组laux通过二极管d8与电容c0以及主控制芯片的引脚vcc连接。
3.根据权利要求2所述的一种耗尽型gan的开关电源结构，其特征在于，所述取电检测稳压模块包括与控制模块连接的谷底检测模块和电流检测模块，所述谷底检测模块与晶体管n4的源极连接，所述电流检测模块与晶体管n4的漏极连接，晶体管n4的栅极连接有电阻r41和稳压二极管d42，电阻r41和稳压二极管d42不与晶体管n4连接的一端与稳压器d43连接，晶体管n4的漏极还与二极管d41连接，二极管d41另一端与储能电容c0连接。
4.根据权利要求1所述的一种耗尽型gan的开关电源结构，其特征在于，所述主控制芯片的引脚vcc与取电检测稳压模块和储能电容c0连接，储能电容c0另一端接地。
5.根据权利要求4所述的一种耗尽型gan的开关电源结构，其特征在于，所述取电检测稳压模块包括谷底检测模块、电流检测模块、晶体管n4、稳压模块、电荷泵和防倒灌充电管理模块，其中，晶体管n4的源极与谷底检测模块和稳压模块连接，晶体管n4的漏极与防倒灌充电管理模...
【专利技术属性】
技术研发人员：李科举，麻胜恒，朱警怡，
申请(专利权)人：中科深圳无线半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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