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本申请实施例提供了一种快恢复二极管的制备方法及快恢复二极管，本发明实施例在有源区采用多晶硅结构既能降低局部区域P型的浓度来降低发射效率从而控制少子寿命，又能够增大PN结的面积，在提高快恢复二极管的快恢复能力的同时又能得到较低的正向压降。...
该专利属于上海韦尔半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海韦尔半导体股份有限公司授权不得商用。

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