【技术实现步骤摘要】
本申请实施例属于半导体，具体涉及一种快恢复二极管的制备方法及快恢复二极管。
技术介绍
1、快恢复二极管的主要性能参数表现为反向恢复时间，目前主流的方式是通过少子寿命控制及铂扩散、电子辐照或者氢(氦)注入在器件的漂移区形成复合中心来降低少子寿命，目前不仅需要短的反向恢复时间，还需要较快的恢复特性。
2、现有的快恢复二极管的制备方法制备的快恢复二极管发射效率较高，快恢复能力较低，且正向压降较高。
技术实现思路
1、本申请实施例的目的以解决或缓解上述现有技术中存在的技术问题，本专利技术提供了一种快恢复二极管的制备方法及快恢复二极管以解决现有技术中制备的快恢复二极管发射效率较高，快恢复能力较低，且正向压降较高的技术问题。
2、本申请实施例提供了一种快恢复二极管的制备方法，所述方法包括：
3、在所述衬底正面的保护环区形成间隔设置的厚氧化层，其中，所述衬底为第一导电类型；
4、在所述衬底正面依次生长栅氧化层和沉积多晶硅，在所述栅氧化层上表面形成间隔设置的
【技术保护点】
1.一种快恢复二极管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的一种快恢复二极管的制备方法，其特征在于，在所述第三注入区形成具有第二掺杂类型的第四注入区之后，所述方法包括：
3.如权利要求1所述的一种快恢复二极管的制备方法，其特征在于，所述厚氧化层的厚度为10000A～20000A。
4.如权利要求1所述的一种快恢复二极管的制备方法，其特征在于，在所述衬底的上表面依次生长栅氧化层和沉积多晶硅之前，所述方法还包括，
5.如权利要求1所述的一种快恢复二极管的制备方法，其特征在于，所述栅极氧化层的厚度为500...
【技术特征摘要】
1.一种快恢复二极管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的一种快恢复二极管的制备方法，其特征在于，在所述第三注入区形成具有第二掺杂类型的第四注入区之后，所述方法包括：
3.如权利要求1所述的一种快恢复二极管的制备方法，其特征在于，所述厚氧化层的厚度为10000a～20000a。
4.如权利要求1所述的一种快恢复二极管的制备方法，其特征在于，在所述衬底的上表面依次生长栅氧化层和沉积多晶硅之前，所述方法还包括，
5.如权利要求1所述的一种快恢复二极管的制备方法，其特征在于，所述栅极氧化层的厚度为500a～2000a，所述多晶硅的厚度为2000a～9000a。
6.如权利要求1所述的一种快恢复二极管的制备方法，其特征在于，所述阱区注入元素为硼元素，且所述硼...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈兆萍，乐双申，何增谊，
申请(专利权)人：上海韦尔半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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