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可以通过提供具有表面区和位于表面区之下预定深度处的解理区来形成材料膜。在将该膜从衬底解理的过程中，解理区中的剪切被严密控制，以通过ＫＩＩ或能量传播控制实现受控的传播。根据特定实施例，通过经由暴露于电子束辐射的硅的隔热加来将面内剪切分量（ＫＩ...
该专利属于硅源公司所有，仅供学习研究参考，未经过硅源公司授权不得商用。

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