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本发明属于光子集成芯片技术领域，具体涉及可突破衍射极限的片上波导、光子集成芯片及制备方法。本发明波导结构横截面从下到上依次为基底层、二维石墨烯‑氮化硼层、高折射率的圆柱波导和低折射率上覆盖层。圆柱波导沉积在二维石墨烯‑氮化硼层表面上，二维石...
该专利属于西北工业大学深圳研究院所有，仅供学习研究参考，未经过西北工业大学深圳研究院授权不得商用。

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