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本发明提供一种逆导型LIGBT器件及其制备方法，该LIGBT器件包括半导体结构、发射极结构、集电极结构、栅结构及MOS结构，其中，半导体结构包括衬底、介电层及外延层；发射极结构包括基区、发射区及第一接触区；集电极结构包括第一、二缓冲区及集电...
该专利属于华润微电子（重庆）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华润微电子（重庆）有限公司授权不得商用。

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