一种逆导型LIGBT器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种逆导型LIGBT器件及其制备方法，该LIGBT器件包括半导体结构、发射极结构、集电极结构、栅结构及MOS结构，其中，半导体结构包括衬底、介电层及外延层；发射极结构包括基区、发射区及第一接触区；集电极结构包括第一、二缓冲区及集电区，基区与第一缓冲区之外的外延层作为漂移区；栅结构位于基区上表面；MOS结构包括浮空接触区、第二接触区、隔离层及二极管结构，浮空接触区位于外延层上表层，第二接触区位于第二缓冲区上表层，隔离层位于第二接触区与浮空接触区之间的外延层上表面，二极管结构包括位于隔离层上的阴极接触区及阳极接触区。本发明专利技术通过MOS结构的设置，避免了集电极电压折回现象，提升了器件的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体集成电路制造领域，涉及一种逆导型ligbt器件及其制备方法。

技术介绍

1、横向绝缘栅双极型晶体管(ligbt)作为一种横向的功率半导体器件。由于器件在导通状态下存在两种载流子参与导电，同时其体内存在电导调制效应，有效改善了器件的导通性能。与横向功率mosfet(ldmos)相比，在相同的几何尺寸、电压下，ligbt的导通电阻远小于ldmos的导通电阻，其更能满足大功率集成电路的应用。如图1所示，为ligbt器件的剖面结构示意图，包括半导体结构01、衬底011、介电层012、外延层013、发射极结构02、基区021、发射区022、发射极接触区023、集电极结构03、缓冲区031、集电区032、栅结构04、栅介质层041、栅导电层042、场氧层043、发射极05及集电极06，由于ligbt不具有反向导通能力，需要在体外反并联二极管进行续流，这会导致器件的生产成本上升，还会引入新的寄生电感，从而对器件的应用提出了更高的要求。此外，由于ligbt存在两种载流子参与导电，当器件关断时，需要把体内所有的非平衡载流子抽出，然而体内非平衡载流子(电子本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种逆导型LIGBT器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的逆导型LIGBT器件，其特征在于：所述基区位于所述外延层的上表层，所述发射区与所述第一接触区相互邻接且位于所述基区的上表层，所述发射区远离所述第一接触区的侧壁与所述基区的侧壁间隔预设距离。

3.根据权利要求1所述的逆导型LIGBT器件，其特征在于：所述第二缓冲区的侧壁与所述第一缓冲区的侧壁间隔预设距离。

4.根据权利要求1所述的逆导型LIGBT器件，其特征在于：所述第二缓冲区与所述浮空接触区的侧壁之间的距离不大于所述第二缓冲区与所述第一缓冲区的侧壁之间的距离。

5.根...

【技术特征摘要】

1.一种逆导型ligbt器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的逆导型ligbt器件，其特征在于：所述基区位于所述外延层的上表层，所述发射区与所述第一接触区相互邻接且位于所述基区的上表层，所述发射区远离所述第一接触区的侧壁与所述基区的侧壁间隔预设距离。

3.根据权利要求1所述的逆导型ligbt器件，其特征在于：所述第二缓冲区的侧壁与所述第一缓冲区的侧壁间隔预设距离。

4.根据权利要求1所述的逆导型ligbt器件，其特征在于：所述第二缓冲区与所述浮空接触区的侧壁之间的距离不大于所述第二缓冲区与所述第一缓冲区的侧壁之间的距离。

5.根据权利要求1所述的逆导型ligbt器件，其特征在于：所述浮空电极与所述阴极接触区的接触类型为欧姆接触，所述集电极与所述阳极接触区的接触类型为欧姆接触。

6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦海峰，马先东，李露，王梦媛，
申请(专利权)人：华润微电子重庆有限公司，
类型：发明
国别省市：