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本公开提供了一种半导体结构及其制备方法，本公开在衬底上同时制备Ga面极性的第一掺杂半导体层和N面极性的第二掺杂半导体层，去除第二掺杂半导体层，得到垂直纳米柱结构的第一掺杂半导体层，在第一掺杂半导体层上包裹环形第三掺杂半导体层并制备源电极、漏...
该专利属于苏州晶湛半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州晶湛半导体有限公司授权不得商用。

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