一种半导体结构及其制备方法技术

本公开提供了一种半导体结构及其制备方法，本公开在衬底上同时制备Ga面极性的第一掺杂半导体层和N面极性的第二掺杂半导体层，去除第二掺杂半导体层，得到垂直纳米柱结构的第一掺杂半导体层，在第一掺杂半导体层上包裹环形第三掺杂半导体层并制备源电极、漏电极以及环形栅电极。本公开提供的半导体结构中栅电极环绕包覆第三掺杂半导体层的侧壁，增加了栅控面积，使得电场分布更加均匀，极大程度上提高了栅电极对器件的控制能力，有效提高击穿电压，降低漏电，提升器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体，具体涉及一种半导体结构及其制备方法。

技术介绍

1、结型场效应晶体管是构成互补晶体管逻辑电路、电流感测放大器、模数转换器驱动器、光电二极管跨阻放大器等电路或装置中的核心器件，这些电路或装置在电力传输、交通运输、消费电子等领域有重要应用。gan基场效应晶体管因具有工作频率高、导通电阻低、功率密度高、耐击穿电压高等优势，在可变电阻和功放领域具有重要应用前景。但是传统的结型场效应晶体管，栅电极对沟道的控制是平面的，难以提升沟道的电场均匀性。

技术实现思路

1、有鉴于此，本公开实施例提供了一种半导体结构及其制备方法，以解决现有技术中结型场效应晶体管沟道电场均匀性难以提升的技术问题。

2、根据本公开的一个方面，本公开一实施例提供了一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

3、s1、提供一衬底，包括第一区域和第二区域，所述第二区域环绕所述第一区域；

4、s2、同时在所述第一区域上制备第一掺杂半导体层以及在所述第二区域上制备第二掺杂半导体层，所述第一掺杂半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述同时制备第一掺杂半导体层(3)和第二掺杂半导体层(4)之前，还包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述极性反转层(2b)为氮化表面，所述同时制备第一掺杂半导体层(3)和第二掺杂半导体层(4)之前，还包括：

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述极性反转层(2b)为含镁氮化物，所述同时制备第一掺杂半导体层(3)和第二掺杂半导体层(4)之前，还包括：

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述极性反转层(2b)为氧化...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述同时制备第一掺杂半导体层(3)和第二掺杂半导体层(4)之前，还包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述极性反转层(2b)为氮化表面，所述同时制备第一掺杂半导体层(3)和第二掺杂半导体层(4)之前，还包括：

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述极性反转层(2b)为含镁氮化物，所述同时制备第一掺杂半导体层(3)和第二掺杂半导体层(4)之前，还包括：

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述极性反转层(2b)为氧化铝，所述同时制备第一掺杂半导体层(3)和第二掺杂半导体层(4)之前，还包括：

6.根据权利要求1所述半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一掺杂半导体层(3)和所述第二掺杂半导体层(4)的掺杂类型相同，为n型或p型，所述第三掺杂半导体层(5)的掺杂类型与所述第一掺杂半导体层(3)的掺杂类型相反。

7.根据权利要求1所述半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述第一区域(1a)上制备第一掺杂半导体层(3)以及在所述第二区域(1b)上制备第二掺杂半导体层(4)之前，所述半导体结构的制备方法还包括：

8.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：程凯，
申请(专利权)人：苏州晶湛半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：