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一种MRAM制造技术
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文档序号:42837125
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本发明提供了一种MRAM,该MRAM包括磁存储阵列和读电路。磁存储阵列划分有n个子区域。读电路包括读取电压输出电路、读信号采集电路、参考电路和比较电路。读取电压输出电路在读取目标磁性隧道结的逻辑状态时,向目标磁性隧道结输出恒定的读取电压。读...
该专利属于浙江驰拓科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过浙江驰拓科技有限公司授权不得商用。
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