一种MRAM制造技术

本发明专利技术提供了一种MRAM，该MRAM包括磁存储阵列和读电路。磁存储阵列划分有n个子区域。读电路包括读取电压输出电路、读信号采集电路、参考电路和比较电路。读取电压输出电路在读取目标磁性隧道结的逻辑状态时，向目标磁性隧道结输出恒定的读取电压。读信号采集电路在向目标磁性隧道结输出恒定的读取电压之后，采集目标磁性隧道结反馈的脉冲电流。参考电路提供n个参考电流，n个参考电流与n个子区域一一对应，每个参考电流根据其所对应子区域内所有磁性隧道结在平行态及反平行态时的阻值分布确定。比较电路根据目标磁性隧道结所在子区域对应的参考电流、与脉冲电流的大小关系，判断目标磁性隧道结的逻辑状态。提高MRAM的读窗口。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及磁存储，尤其涉及一种mram。

技术介绍

1、磁性随机存储器(mram)是一种极具潜力的新型存储器，该存储器具有电路设计简单，读写速度快，无限次擦写、掉电不丢失等优点。mram中的存储位元包括1个磁性隧道结(mtj)、1个场效应管(cmos)。磁性隧道结是由自由层(磁化取向可通过电流或磁场改变)、参考层(磁化取向固定)以及介于两层间的介质层组成。通过自由层磁化方向的改变，使两磁性层的磁化方向相同(平行态或低阻态)或相反(反平行态或高阻态)，实现数据存储。在芯片读写过程中，可通过对比mtj电路反馈的脉冲电流与参考电路中的参考电流，判断mtj为平行态还是反平行态。而参考电路中参考电流的大小是根据磁存储阵列中的读窗口确定，读窗口为磁存储阵列中所有磁性隧道结处于反平行态时阻值的最小值，与所有磁性隧道结处于平行态时阻值的最大值之间的差值。读窗口越大越好。但是在mram磁存储阵列的制备过程中，由于晶圆在工艺流程中，光刻和刻蚀的制造工艺有可能导致磁存储阵列中外围磁性隧道结的电阻值，会比内部磁性隧道结的电阻值大，导致不同区域之间的rp(平行态下的阻值)及ra本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种MRAM，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的MRAM，其特征在于，所述参考电路能够提供大小顺序排列的m档参考电流；

3.如权利要求2所述的MRAM，其特征在于，所述参考电路包括：

4.如权利要求2所述的MRAM，其特征在于，所述参考电路包括：

5.如权利要求2所述的MRAM，其特征在于，还包括：

6.如权利要求5所述的MRAM，其特征在于，在校验结果为读错误时，所述校验模块还校验所述读错误为第一类读错误，还是第二类读错误；其中，所述第一类读错误为将所述目标磁性隧道结实际的平行态读取为反平行态，所述第二类读错误为将...

【技术特征摘要】

1.一种mram，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的mram，其特征在于，所述参考电路能够提供大小顺序排列的m档参考电流；

3.如权利要求2所述的mram，其特征在于，所述参考电路包括：

4.如权利要求2所述的mram，其特征在于，所述参考电路包括：

5.如权利要求2所述的mram，其特征在于，还包括：

6.如权利要求5所述的mram，其特征在于，在校验结果为读错误时，所述校验模块还校验所述读错误为第一类读错误，还是第二类读错误；其中，所述第一类读错误为将所述目标磁性隧道结实际的平行态读取为反平行态，所述第二类读错误为将所述目标磁性隧道结实际的反平行态读取为平行态；

7.如权利要求6所述的mram，其特征在于，所述参考电路在某个子区域内所述第一读错误或第二读错误的次数大于设定阈值时，调增或调减该子区域对应的参考电流。

8.如权利要求7所述的mram，其特征在于，所述参考电路每次调增或调减该子区域对应的参考电流时，调增一档或调减一...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩谷昌，朱晓芸，孙娟娟，杨晓蕾，王明，
申请(专利权)人：浙江驰拓科技有限公司，
类型：发明
国别省市：