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本发明提供一种减少APF层刻蚀偏差的方法，提供衬底，在衬底上形成有半导体膜层结构，在半导体膜层上形成硬掩膜层，在硬掩膜层上依次形成有自下而上依次堆叠的APF层、抗反射涂层和光刻胶层；利用光刻打开光刻胶使得部分抗反射涂层裸露，以定义出半导体膜...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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