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提供了包括参考单元的电阻式存储器装置。所述存储器装置包括：电流源电路，结合到与单元晶体管串联的磁隧道结(MTJ)元件，并且被配置为生成通过单元晶体管的电流；以及补偿电路，被配置为基于通过单元晶体管的所述电流来补偿跨过单元晶体管的电压。...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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