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本申请提供一种半导体结构的制作方法，包括：提供衬底，在衬底上形成掩膜层，掩膜层具有暴露衬底的开口；以掩膜层为掩膜，从开口处选择性生长第一半导体外延层，第一半导体外延层未覆盖掩膜层远离衬底一侧的表面；去除掩膜层，在衬底上以及第一半导体外延层上...
该专利属于苏州晶湛半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州晶湛半导体有限公司授权不得商用。

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