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本发明公开了一种基于伪MOS特性的MOS管界面态密度检测方法，属于半导体技术领域。方法包括：提供一具有伪MOS表征结构的绝缘体上硅SOI晶圆，SOI晶圆至少包括从下至上依次层叠的衬底、埋氧层、硅膜层和电极；获取埋氧层和硅膜层之间的界面态电容...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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