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本发明公开一种半导体元件及其作方法，其中该制作半导体元件的方法为，主要先形成一鳍状结构于基底上，然后形成一第一凹槽以及一第二凹槽于该鳍状结构内，形成一第一介电层于该第一凹槽以及该第二凹槽内，去除部分该第一介电层，形成一第二介电层于该第一凹槽...
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