【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种制作半导体元件的方法，尤其是涉及一种于单扩散隔离(singlediffusion break,sdb)结构上制备高压元件的方法。
技术介绍
1、近年来，随着场效晶体管(field effect transistors,fets)元件尺寸持续地缩小，现有平面式(planar)场效晶体管元件的发展已面临制作工艺上的极限。为了克服制作工艺限制，以非平面(non-planar)的场效晶体管元件，例如鳍状场效晶体管(fin fieldeffect transistor,fin fet)元件来取代平面晶体管元件已成为目前的主流发展趋势。由于鳍状场效晶体管元件的立体结构可增加栅极与鳍状结构的接触面积，因此，可进一步增加栅极对于载流子沟道区域的控制，从而降低小尺寸元件面临的漏极引发能带降低(draininduced barrier lowering,dibl)效应，并可以抑制短沟道效应(short channel effect,sce)。再者，由于鳍状场效晶体管元件在同样的栅极长度下会具有更宽的沟道宽度，因而可获得加倍的漏极驱动电流。...
【技术保护点】
1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的方法，还包含：
3.如权利要求2所述的方法，还包含形成第五单扩散隔离结构以及第六单扩散隔离结构于该第三单扩散隔离结构以及该第四单扩散隔离结构两侧。
4.如权利要求2所述的方法，其中该第一单扩散隔离结构深度大于该第三单扩散隔离结构深度。
5.如权利要求1所述的方法，还包含：
6.如权利要求5所述的方法，还包含形成第五单扩散隔离结构以及第六单扩散隔离结构于该第三单扩散隔离结构以及该第四单扩散隔离结构两侧。
7.如权利要求5所述的方...
【技术特征摘要】
1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的方法，还包含：
3.如权利要求2所述的方法，还包含形成第五单扩散隔离结构以及第六单扩散隔离结构于该第三单扩散隔离结构以及该第四单扩散隔离结构两侧。
4.如权利要求2所述的方法，其中该第一单扩散隔离结构深度大于该第三单扩散隔离结构深度。
5.如权利要求1所述的方法，还包含：
6.如权利要求5所述的方法，还包含形成第五单扩散隔离结构以及第六单扩散隔离结构于该第三单扩散隔离结构以及该第四单扩散隔离结构两侧。
7.如权利要求5所述的方法，其中该第一单扩散隔离结构深度大于该第三单扩散隔离结构深度。
8.如权利要求1所述的方法，其中该第一介电层以及该第二介电层包含不同材料。
9.如权利要求1所述的方法，其中该第一介电层包含氧化硅。
10.如权利要求1所述的方法，其中该第二介电层包含氮...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗广钰，陆俊岑，张仲甫，吴智善，林毓翔，张韡浩，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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