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本发明提供了一种三维存储器及其制备方法。本发明通过将上下电极层优化为左右电极层，实现将传统横向存储单元优化为纵向存储单元，单个存储单元有效面积增加，可以实现单个存储单元面积更小、以节省存储单元的占用面积；器件有效面积的增加可以提高存储性能，...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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