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钝化结构的形成方法技术
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文档序号:42805161
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一种钝化结构的形成方法,包括:提供硅基底,硅基底包括相对的第一表面和第二表面;形成氧化硅层,氧化硅层位于所述硅基底的第一表面和第二表面中的至少一个的至少部分位置;在氧化硅层背离硅基底的表面上形成第一硅层;形成阻挡层,阻挡层位于第一硅层的背离...
该专利属于隆基绿能科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过隆基绿能科技股份有限公司授权不得商用。
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