钝化结构的形成方法技术

一种钝化结构的形成方法，包括：提供硅基底，硅基底包括相对的第一表面和第二表面；形成氧化硅层，氧化硅层位于所述硅基底的第一表面和第二表面中的至少一个的至少部分位置；在氧化硅层背离硅基底的表面上形成第一硅层；形成阻挡层，阻挡层位于第一硅层的背离硅基底的表面上；在阻挡层背离硅基底的表面形成第二硅层；从硅基底具有第二硅层的一侧进行掺杂源扩散，第二硅层的部分转变成硅玻璃层，或第二硅层与阻挡层均转变成硅玻璃层。本申请创新地提出了一种太阳能电池的钝化结构的形成方法，有效防止底层的第一硅层受到太高浓度的掺杂元素扩散导致掺杂原子过多造成晶格畸变大的问题，由此可获得掺杂均匀的多晶硅层。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及光伏，更具体的说，涉及一种背接触太阳能电池的钝化结构的形成方法。

技术介绍

1、随着太阳能光伏电池对光电转换效率的要求越来越高，越来越多的晶体硅电池采用氧化硅层和掺杂多晶硅层的结构对硅片表面进行钝化。该钝化结构既保证了钝化效果，又能够较好地改善金属与硅的接触。掺杂多晶硅的制备方法，包括有沉积本征多晶硅+外部源掺杂的方式和原位沉积掺杂源+热退火激活两种方法。目前，常见的外部源掺杂有离子注入和热扩散两类。相对于离子注入，热扩散工艺有着低成本、大产能、技术成熟、钝化效果较好的特点。但是，热扩散工艺表现与理论钝化极限还有一定的差距，因此提升多晶硅的掺杂效果可以进一步提升该结构的钝化效果，对于太阳能电池的光电转换效率提升有着较大的意义。

2、现有技术中，外部源沉积的磷源或者硼源会以磷硅玻璃或者硼硅玻璃的形式存在于多晶硅表面，极高浓度的掺杂源直接与多晶硅接触，由于具有较高的浓度梯度，在扩散过程中大量的掺杂原子会进入多晶硅层内，较多的原子不以替位态形式存在而以间隙态存在，由此引起晶格畸变。这种现象会造成结构的钝化性能下降，同时增加对光的寄生吸收，降本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种钝化结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的钝化结构的形成方法，其特征在于，所述第一硅层和所述第二硅层的厚度比为1.2-40，和/或，

3.根据权利要求1所述的钝化结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一硅层包括：

4.根据权利要求1所述的钝化结构的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为氧化硅、氮氧化硅、和掺杂氧的多晶硅中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的钝化结构的形成方法，其特征在于，形成所述阻挡层包括：

6.根据权利要求5所述的钝化结构的形成方法，其特征在于，所述氧化气体为O3、O2、N2...

【技术特征摘要】

1.一种钝化结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的钝化结构的形成方法，其特征在于，所述第一硅层和所述第二硅层的厚度比为1.2-40，和/或，

3.根据权利要求1所述的钝化结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一硅层包括：

4.根据权利要求1所述的钝化结构的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为氧化硅、氮氧化硅、和掺杂氧的多晶硅中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的钝化结构的形成方法，其特征在于，形成所述阻挡层包括：

6.根据权利要求5所述的钝化结构的形成方法，其特征在于，所述氧化气体为o3、o2、n2o中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的钝化结构的形成方法，其特征在于，所述第二硅层为本征硅层且厚度小于等于50nm，或者

8.根据权利要求1所述的钝化结构的形成方法，其特征在于，当所述第二硅层为本征硅层，形成所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：童洪波，李振国，邱家梁，张洪超，戴伟民，陈宇，刘庆平，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：